- EAN13
- 9782746231306
- ISBN
- 978-2-7462-3130-6
- Éditeur
- Hermès science publications
- Date de publication
- 15/02/2011
- Collection
- TRAITE EGEM - S
- Dimensions
- 23,4 x 15,6 x 1,6 cm
- Poids
- 770 g
- Langue
- français
- Code dewey
- 621.3815
- Fiches UNIMARC
- S'identifier
Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium
Dirigé par Annie Baudrant
Hermès science publications
Traite Egem - S
Offres
Cet ouvrage propose au lecteur une vision de l'élaboration des couches
actives, modifiant la structure de surface du substrat silicium massif
: principes de base, mise en applications en fonction des filières
technologiques, limites et contraintes, avec un focus sur les dernières
avancées.
Son objectif n'est pas de faire le tour de la question pour tous les
procédés élémentaires d'un assemblage technologique, mais de rappeler
les données essentielles et fondamentales seulement pour les procédés
qui visent à utiliser et à améliorer les propriétés du matériau
ou du semi-conducteur silicium, tant pour les composants
électroniques que pour les microsystèmes.
Sont ainsi développés l'oxydation silicium, l'implantation
ionique, la diffusion et l'épitaxie d'hétérostructures.
actives, modifiant la structure de surface du substrat silicium massif
: principes de base, mise en applications en fonction des filières
technologiques, limites et contraintes, avec un focus sur les dernières
avancées.
Son objectif n'est pas de faire le tour de la question pour tous les
procédés élémentaires d'un assemblage technologique, mais de rappeler
les données essentielles et fondamentales seulement pour les procédés
qui visent à utiliser et à améliorer les propriétés du matériau
ou du semi-conducteur silicium, tant pour les composants
électroniques que pour les microsystèmes.
Sont ainsi développés l'oxydation silicium, l'implantation
ionique, la diffusion et l'épitaxie d'hétérostructures.
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